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东芝推出面向更高效工业装备的第三代SiC MOSFET

2022-09-28 17:52

-该系列产品包括1200V和650V两种规格-

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)克日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻,可显著降低开关消耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品,现已最先出货。

新产品的单位面积导通电阻(RDS(ON)A)下降了约莫43%[3],从而使“漏源导通电阻×栅泄电荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了约莫80%[4],这是体现导通消耗与开关消耗间关系的主要指标。这样可以将开关消耗镌汰约莫20%[5],同时降低导通电阻和开关消耗。因此,新产品有助于提高装备效率。

 

东芝将进一步壮大其功率器件产品线,强化生产设施,并通过提供易于使用的高性能功率器件,起劲实现碳中和经济。

 

应用

 

  • 开关电源(服务器、数据中心、通讯装备等)

  • 电动汽车充电站

  • 光伏变频器

  • 不中止电源(UPS)

 

特征

 

  • 单位面积导通电阻低(RDS(ON)A)

  • 低漏源导通电阻×栅泄电荷(RDS(ON)×Qgd)

  • 低二极管正向电压:VDSF=-1.35V(典范值)@VGS=-5V

注:
[1] 通过接纳为第二代SiC MOSFET开发的内置肖特基势垒二极管的架构,东芝开发出一种可降低单位面积导通电阻(RDS(ON)A),同时降低JFET区域反响电容的器件架构。
[2] MOSFET:金属氧化物半导体场效应晶体管。
[3] 当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被设为1时,与新款1200V SiC MOSFET较量。东芝调研。
[4] 当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被设为1时,与新款1200V SiC MOSFET较量。东芝调研。
[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET较量。东芝调研。

 

*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

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